54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 268-8310
- 制造商零件编号 SIHK105N60E-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 24A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每带 2000 ）
RMB27.306(不含税)
- RS 库存编号 186-8618
- 制造商零件编号 MMBTH10-4LT1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大集电极-发射极电压 25 V
- 封装类型 SOT-23
- 安装类型 贴片
个（每托盘 50 ）
RMB0.346(不含税)
- RS 库存编号 165-6002
- 制造商零件编号 IRF9640STRRPBF
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 6.8A
- 最大漏源电压 Vd 200V
个（每带 800 ）
RMB10.567(不含税)
- RS 库存编号 691-0782P
- 制造商零件编号 SL05.TCT
- 品牌 Semtech
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 11V
个 (以每卷装提供)
RMB5.576(不含税)
- RS 库存编号 217-2597
- 制造商零件编号 IRF3805STRLPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 210A
- 最大漏源电压 Vd 55V
个（每带 800 ）
RMB19.052(不含税)
- RS 库存编号 243-6952
- 制造商零件编号 MSE1PBHM3/89A
- 品牌 Vishay
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 MicroSMP
- 最大连续正向电流 If 1A
个（每带 4500 ）
RMB0.403(不含税)
- RS 库存编号 218-6681
- 制造商零件编号 V12PM63-M3/H
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-277
- 最大连续正向电流 If 12A
个（每托盘 10 ）
RMB3.734(不含税)
- RS 库存编号 214-9025
- 制造商零件编号 IPB80N06S2L09ATMA2
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 80A
- 最大漏源电压 Vd 55V
个（每带 1000 ）
RMB12.586(不含税)
- RS 库存编号 184-1259
- 制造商零件编号 MUN5233DW1T1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 SOT-363
个（每托盘 100 ）
RMB0.634(不含税)
- RS 库存编号 279-9494
- 制造商零件编号 VSSAF3M103-M3/I
- 品牌 Vishay
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 DO-221AC
- 最大连续正向电流 If 3A
个（每托盘 25 ）
RMB2.398(不含税)
- RS 库存编号 218-3106
- 制造商零件编号 IRFR3410TRLPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 31A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每托盘 20 ）
RMB6.29(不含税)
- RS 库存编号 262-6712
- 制造商零件编号 BAT68E6327HTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOT-23
- 最大连续正向电流 If 130mA
个（每托盘 50 ）
RMB0.988(不含税)
- RS 库存编号 145-3527
- 制造商零件编号 2N4920G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -1 A
- 最大集电极-发射极电压 -80 V
- 封装类型 TO-225
个 (以毎盒：500)
RMB3.556(不含税)
- RS 库存编号 273-7432
- 制造商零件编号 IGW20N60H3FKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 40 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 +/-20V
- 晶体管数 1
每管：30 个
RMB10.308(不含税)
- RS 库存编号 235-4878
- 制造商零件编号 ISP20EP10LMXTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 990mA
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每带 1000 ）
RMB1.016(不含税)
- RS 库存编号 103-2933
- 制造商零件编号 BC856BLT1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -100 mA
- 最大集电极-发射极电压 -65 V
- 封装类型 SOT-23
个（每带 3000 ）
RMB0.133(不含税)
- RS 库存编号 273-7369
- 制造商零件编号 FD200R12KE3HOSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 295 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 +/-20V
- 最大功率耗散 1.05 kW
个
RMB798.55(不含税)
- RS 库存编号 805-2731
- 制造商零件编号 MM5Z8V2T1G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 8.2V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个
RMB0.313(不含税)
- RS 库存编号 184-4606P
- 制造商零件编号 BAS21SLT1G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 串行
- 最大正向电流 225mA
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 2
个 (以每卷装提供)
RMB0.313(不含税)
- RS 库存编号 171-3946
- 制造商零件编号 PDZVTR16B
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 16.2V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 3000 ）
RMB0.934(不含税)