分立半导体

分立半导体是单个独立的半导体器件，区别于集成化的芯片，每个器件仅具备单一的电子功能（如整流、开关、放大等），是电子电路中实现信号控制、功率转换、电压调节等功能的基础元器件，广泛应用于各类电子设备与工业系统中。

分立半导体的工作原理

分立半导体基于半导体材料（硅、锗等）的导电特性，通过PN结的单向导电性、场效应控制等原理实现特定功能：二极管类器件利用PN结单向导电，实现整流、稳压、限幅等作用；

晶体管类（三极管、MOSFET、IGBT等）通过控制基极/栅极的电流或电压，实现信号放大、开关通断与功率调控；可控硅、双向可控硅等器件则通过触发信号实现可控导通，用于交流调压与开关控制；

各类器件通过不同的结构设计与材料掺杂，适配不同的电路需求，在电路中承担信号处理、功率转换、保护等核心角色。

分立半导体的特点

  • 功能单一独立，每个器件仅实现单一电子功能，便于电路模块化设计。
  • 选型灵活多样，可根据电路需求精准选择参数，适配不同功率与频率场景。
  • 散热性能优异，独立封装结构便于散热，适合大功率、高发热电路使用。
  • 可靠性高，抗干扰性强，可在复杂工业环境下稳定工作。
  • 成本可控，小批量采购与替换便捷，适合定制化电路设计。
  • 封装形式丰富，适配通孔、贴片等不同安装方式，满足各类设备需求。

分立半导体的类型

  • DIAC：双向触发二极管，用于触发可控硅，实现交流电路的开关控制。
  • IGBT：绝缘栅双极型晶体管，兼具MOSFET与三极管优势，用于大功率开关与逆变场景。
  • JFET：结型场效应晶体管，用于信号放大、恒流源与电压控制。
  • MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，高频高速开关，用于电源、驱动电路。
  • PIN二极管：本征层二极管，用于高频开关、光电检测与射频电路。
  • SIDAC：硅双向开关，用于高压触发与过压保护电路。
  • 真空管：真空电子器件，用于高频放大、高压与特殊射频场景。
  • 稳压二极管：反向击穿时稳定电压，用于电路稳压与电压基准。
  • 肖特基二极管：低正向压降、高速开关，用于高频整流与电源电路。

分立半导体的规格

  • 额定电压：从几V到数千V不等，适配不同电路电压等级。
  • 额定电流：mA级到A级，覆盖小信号到大功率场景。
  • 开关速度：纳秒级到微秒级，适配高频与低频电路需求。
  • 工作频率：DC到GHz级，满足射频、功率等不同应用。
  • 封装形式：TO-92、TO-220、DO-41、SOT-23等，适配不同安装方式。
  • 工作温度：商业级070℃、工业级-4085℃、汽车级-40~125℃。
  • 正向压降：肖特基、整流等二极管的核心参数，影响电路效率。

分立半导体的应用

  • 电源电路：整流、稳压、开关控制，用于适配器、电源模块。
  • 工业控制：PLC、变频器、电机驱动，实现功率转换与控制。
  • 消费电子：手机、家电、电脑，用于信号处理、电源管理。
  • 汽车电子：ECU、车载电源、电机控制，适配车载复杂工况。
  • 通信设备：路由器、基站、射频电路，用于信号放大与开关。
  • 医疗设备：监护仪、诊断仪器，用于信号处理与电源控制。
  • 新能源：光伏逆变器、充电桩，实现大功率转换与保护。

RS 欧时为您提供了不同品牌的分立半导体，如Vishay、ROHM、Infineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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DIAC
DIAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
MOSFET
MOSFET
PIN二极管
PIN二极管
SIDAC
SIDAC
TVS二极管
TVS二极管
三极管
三极管
双向可控硅
双向可控硅
变容二极管
变容二极管
可控硅
可控硅
复合管
复合管
开关二极管
开关二极管
恒流二极管
恒流二极管
整流桥
整流桥
真空管
真空管
稳压二极管
稳压二极管
肖特基二极管
肖特基二极管

54994 产品显示为 分立半导体

排序方式
658 的 999+
有库存
Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=72 A, 10针, PG-HDSOP-10, OptiMOS系列
  • RS 库存编号 348-990
  • 制造商零件编号 IPDD60R037CM8XTMA1
小计（1 件）
RMB33.61(不含税)
RMB33.61/件
暂时无法供应
STMicroelectronics TVS二极管阵列, 10 VC, 4.5 Vbr, μQFN-10L, HSP051-4M10系列
  • RS 库存编号 239-6284P
  • 制造商零件编号 HSP051-4M10
小计 10 件 (按连续条带形式提供)
RMB17.95(不含税)
RMB1.795/件
暂时缺货
onsemi N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=26 A, 8针, DFN, NVMFD5C680NL系列
  • RS 库存编号 172-3383
  • 制造商零件编号 NVMFD5C680NLWFT1G
小计（1 包，共 25 件）
RMB284.10(不含税)
RMB11.364/件
有库存
STMicroelectronics IGBT, 3针, VCEO 1.2 kV, 5 μs, H系列
  • RS 库存编号 244-3195P
  • 制造商零件编号 STGYA50H120DF2
小计 1 件 (按管提供)
RMB70.82(不含税)
RMB70.82/件
有库存
Starpower N沟道IGBT模块, 7针, 2个晶体管, Ic 180 A, VCEO 650 V, 模块
  • RS 库存编号 427-702
  • 制造商零件编号 GD150HFX65C1S
小计（1 件）
RMB396.00(不含税)
RMB396.00/件
暂时无法供应
ROHM 硅结型, 300 mA(If), 80 Vrrm, UMD, 3引脚, 系列二极管, 表面安装
  • RS 库存编号 124-6524
  • 制造商零件编号 DAN217UMTL
小计（1 包，共 150 件）
RMB43.95(不含税)
RMB0.293/件
有库存
STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1 kV, Id=13 A, 3针, TO-247, MDmesh, SuperMESH系列
  • RS 库存编号 103-1573
  • 制造商零件编号 STW13NK100Z
小计（1 管，共 30 件）
RMB1,579.20(不含税)
RMB52.64/件
暂时无法供应
Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=70 V, Id=67.4 A, 8针, PowerPAK 1212, SiSS76LDN系列
  • RS 库存编号 210-5018P
  • 制造商零件编号 SiSS76LDN-T1-GE3
小计 10 件 (按连续条带形式提供)
RMB94.44(不含税)
RMB9.444/件
暂时缺货
IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=310 A, 4针, SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET系列
  • RS 库存编号 125-8042
  • 制造商零件编号 IXFN360N15T2
小计（1 件）
RMB375.27(不含税)
RMB375.27/件
暂时缺货
DiodesZetex , 1路 通用 稳压二极管, 单, 标称5.6 V, 最大200 mW 5 %, SOD-323, 表面安装, 2引脚
  • RS 库存编号 823-1518
  • 制造商零件编号 MMSZ5232BS-7-F
小计（1 包，共 100 件）
RMB66.20(不含税)
RMB0.662/件
暂时缺货
onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=83 A, 4针, TO-252
  • RS 库存编号 178-4293
  • 制造商零件编号 NVD5C454NT4G
小计（1 卷，共 2500 件）
RMB19,930.00(不含税)
RMB7.972/件
暂时缺货
Nexperia , 1路 电压调节器 稳压二极管, 单, 标称10 V, 最大1.3 W 5 %, DO-41, 通孔安装, 2引脚
  • RS 库存编号 166-1240
  • 制造商零件编号 BZV85-C10,113
小计（1 卷，共 5000 件）
RMB1,760.00(不含税)
RMB0.352/件
暂时无法供应
ROHM N沟道SiC功率模块, Vds=1.2 kV, Id=204 A
  • RS 库存编号 246-1508
  • 制造商零件编号 BSM180D12P2C101
小计（1 盒，共 12 件）
RMB40,486.596(不含税)
RMB3,373.883/件
有库存
STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=7 A, 3针, TO-252
  • RS 库存编号 188-8395
  • 制造商零件编号 STD11N65M2
小计（1 包，共 5 件）
RMB78.81(不含税)
RMB15.762/件
有库存
Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=69 A, 4针, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC系列
  • RS 库存编号 349-375
  • 制造商零件编号 AIMZH120R030M1TXKSA1
小计（1 件）
RMB112.78(不含税)
RMB112.78/件
暂时无法供应
Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=31 A, 8针, TDSON, ISC系列
  • RS 库存编号 235-4872
  • 制造商零件编号 ISC230N10NM6ATMA1
小计（1 卷，共 5000 件）
RMB17,110.00(不含税)
RMB3.422/件
暂时缺货
Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, TO-252, HEXFET系列
  • RS 库存编号 258-0632
  • 制造商零件编号 AUIRFR8403TRL
小计（1 卷，共 3000 件）
RMB24,453.00(不含税)
RMB8.151/件
暂时缺货
Semikron 螺柱版本整流二极管, 1.6 kVrrm, 125 A(If), 电缆安装, 模块, 2引脚, SKN 100系列
  • RS 库存编号 724-007
  • 制造商零件编号 SKN 100/16
小计（1 件）
RMB394.48(不含税)
RMB394.48/件
暂时无法供应
ROHM N沟道IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic 50 A, VCEO 650 V, TO-247N
  • RS 库存编号 235-2740P
  • 制造商零件编号 RGW00TS65CHRC11
小计 1 件 (按管提供)
RMB60.60(不含税)
RMB60.60/件
暂时缺货
IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=82 A, 3针, PLUS264, HiperFET, Q3-Class系列
  • RS 库存编号 801-1370P
  • 制造商零件编号 IXFB82N60Q3
小计 1 件 (按管提供)
RMB297.10(不含税)
RMB297.10/件
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