54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 168-8771
- 制造商零件编号 FP35R12W2T4B11BOMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 54 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 215 W
个 (以毎盒：15)
RMB407.399(不含税)
- RS 库存编号 433-234
- 制造商零件编号 GD800GX170C3S
- 品牌 Starpower
- 最大连续集电极电流 800 A
- 最大集电极-发射极电压 1700V
- 最大栅极发射极电压 20V
- 最大功率耗散 5.75 千瓦
个 (以毎盒：8)
RMB2,566.819(不含税)
- RS 库存编号 264-666
- 制造商零件编号 RGW40NL65HRBTL
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 48 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 最大功率耗散 144 W
个
RMB29.135(不含税)
- RS 库存编号 223-6211P
- 制造商零件编号 R6030KNZC17
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 30A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个 (以每管装提供)
RMB44.62(不含税)
- RS 库存编号 223-6209P
- 制造商零件编号 R6025JNZC17
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 25A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个 (以每管装提供)
RMB42.24(不含税)
- RS 库存编号 218-4388
- 制造商零件编号 IFF600B12ME4PB11BPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 600 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 20V
- 晶体管数 2
个
RMB1,704.92(不含税)
- RS 库存编号 178-4761
- 制造商零件编号 2N6388G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大连续集电极电流 10 A
- 最大集电极-发射极电压 80 V
- 最大发射极-基极电压 5 V
每管：50 个
RMB4.559(不含税)
- RS 库存编号 219-461
- 制造商零件编号 PSMN2R0-100SSFJ
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 267A
- 最大漏源电压 Vd 100V
1 带 1 套
RMB34.63(不含税)
- RS 库存编号 816-7928P
- 制造商零件编号 BZX585-B12
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 12V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.498(不含税)
- RS 库存编号 791-6139
- 制造商零件编号 MMBT6429LT1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 200 mA
- 最大集电极-发射极电压 45 V
- 封装类型 SOT-23
个（每托盘 100 ）
RMB0.402(不含税)
- RS 库存编号 711-5178
- 制造商零件编号 ZXTP25020CFHTA
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -4 A
- 最大集电极-发射极电压 -20 V
- 封装类型 SOT-23
个（每托盘 10 ）
RMB3.585(不含税)
- RS 库存编号 279-9298P
- 制造商零件编号 3.0C54CA-M3/I
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 2 x 共阴极对
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 72.7V
- 最小击穿电压 50V
个 (以每卷装提供)
RMB7.498(不含税)
- RS 库存编号 243-4745
- 制造商零件编号 PDTC124EQC-QZ
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 DFN1412D-3
个（每托盘 50 ）
RMB0.811(不含税)
- RS 库存编号 243-4733
- 制造商零件编号 PDTC123JQBZ
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 DFN1110D-3
个（每托盘 50 ）
RMB0.91(不含税)
- RS 库存编号 186-8482
- 制造商零件编号 BC849BLT1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 30 V
- 封装类型 SOT-23
个（每托盘 100 ）
RMB0.318(不含税)
- RS 库存编号 163-2502
- 制造商零件编号 MJE15028G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 8 A
- 最大集电极-发射极电压 120 V
- 封装类型 TO-220AB
每管：50 个
RMB6.718(不含税)
- RS 库存编号 509-156
- 制造商零件编号 PESD3V3L2BT,215
- 品牌 Nexperia
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 串行
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 26V
个（每托盘 20 ）
RMB0.831(不含税)
- RS 库存编号 177-5212
- 制造商零件编号 2N6508G
- 品牌 Littelfuse
- 额定平均通态电流 16A
- 可控硅类型 SCR
- 封装类型 TO-220AB
- 重复峰值反向电压 600V
个 (以毎盒：500)
RMB16.79(不含税)
- RS 库存编号 214-4335
- 制造商零件编号 BSL308CH6327XTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET 阵列
- 槽架类型 P型, N型
- 最大连续漏极电流 Id 2.3A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每托盘 50 ）
RMB2.691(不含税)
- RS 库存编号 215-5565
- 制造商零件编号 SMCJ60A-Q
- 品牌 Bourns
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向，单向
- 最大钳位电压 96.8V
- 最小击穿电压 66.7V
个（每托盘 25 ）
RMB4.948(不含税)