STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 85 A, VCEO 1600 V, 331 ns, TO-247, IH2系列

RS 库存编号:: 468-506
制造商零件编号:: STGWA30IH160DF2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 85 A, VCEO 1600 V, 331 ns, TO-247, IH2系列

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RS 库存编号:: 468-506
制造商零件编号:: STGWA30IH160DF2
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	85A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1600V
	最大功耗 Pd	395W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	开关速度	331ns
	最低工作温度	-55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.2V
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	20.1mm
	系列	IH2
	宽度	15.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 85A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1600V
	最大功耗 Pd 395W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	开关速度 331ns
	最低工作温度 -55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.2V
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 20.1mm
	系列 IH2
	宽度 15.9mm
	汽车标准否

Datasheet - STGWA30IH160DF2

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics的IGBT采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发而成，其性能在导通和开关损耗方面都得到了优化，可实现软换向。包含一个具有低正向压降的续流二极管。其结果是一款专为最大限度提高所有谐振和软切换应用的效率而设计的产品。

尾电流最小化

严格的参数分布

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 85 A, VCEO 1600 V, 331 ns, TO-247, IH2系列

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