Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=91 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列
- RS 库存编号:
- 351-922
- 制造商零件编号:
- IMZC120R012M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- IMZC120R012M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 91A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1.2kV | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-U07 | |
| 系列 | IMZC120 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 124nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 480W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 91A | ||
最大漏源电压 Vd 1.2kV | ||
包装类型 PG-TO-247-4-U07 | ||
系列 IMZC120 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 12mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 124nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 480W | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IMZC120系列MOSFET，1200V最大漏源电压，91A最大连续漏极电流 - IMZC120R012M2HXKSA1
该MOSFET是一款高压N沟道增强型器件，专为严苛环境中的电源开关和转换而设计。它适用于通孔安装，适合需要在宽温度范围内工作、具备强大漏源电压能力和大持续电流处理能力的应用。
特性和优点：
• 1200V漏极耐压，支持高压开关
• 91A的连续漏极电流支持重载处理
• 12mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 480W最大耗散功率，支持持续功率处理
• 124nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• 通孔 4 针 PG-TO-247-4-U07 封装，可简化散热
• 91A的连续漏极电流支持重载处理
• 12mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 480W最大耗散功率，支持持续功率处理
• 124nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• 通孔 4 针 PG-TO-247-4-U07 封装，可简化散热
应用
• 适用于工业高压变频器
• 适用于电信设备电源
• 适用于需要高电流开关的电机驱动器
• 可用于高压DC-DC转换模块
• 适用于实验室电力测试装置
• 适用于电信设备电源
• 适用于需要高电流开关的电机驱动器
• 可用于高压DC-DC转换模块
• 适用于实验室电力测试装置
我应该考虑哪些栅极驱动因素？
在额定 Vgs 下，预计典型栅极电荷为 124nC；因此，在设计栅极驱动器时，应确保其能够提供和吸收足够的峰值电流，以满足预期的开关转换要求，同时避免过大的延迟。
热管理对满载运行时的正常运行时间有何影响？
鉴于最大功耗高达 480W，必须采用有效的散热和热界面设计，以确保结温在长时间高功率运行期间保持在限值范围内。
环境工作温度是否受限？
该器件规定的工作温度范围为-55°C至175°C，在采用适当的热设计时，允许在冷启动和高温环境中使用。
要实现卓越性能，需要哪种安装方法？
它采用PG-TO-247-4-U07 4针封装，适用于通孔组装，可直接安装至散热器或底座以提升热传导性能。
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