Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=34 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列

RS 库存编号:: 351-930
制造商零件编号:: IMZC120R040M2HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=34 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列

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制造商零件编号:: IMZC120R040M2HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	34A
	最大漏源电压 Vd	1.2kV
	系列	IMZC120
	包装类型	PG-TO-247-4-U07
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	40mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最大功耗 Pd	218W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	39nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	JEDEC47/20/22
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 34A
	最大漏源电压 Vd 1.2kV
	系列 IMZC120
	包装类型 PG-TO-247-4-U07
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 40mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最大功耗 Pd 218W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 JEDEC47/20/22
	汽车标准否

Datasheet - IMZC120R040M2HXKSA1

Infineon IMZC120系列MOSFET，最大功耗218W，最大漏源电压1200V - IMZC120R040M2HXKSA1

这款N沟道增强型MOSFET是一款专为严苛的电源转换环境设计的高压开关晶体管。它专为通孔安装而设计，适用于需要强大漏源极阻断能力和高持续电流承载能力、且需在宽温度范围内（适应恶劣工况）运行的设备。

特性和优点：

• 1200V漏源极额定电压，支持高压设计
• 34A的连续漏极电流，支持重载运行
• 40mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 218W 功耗，适用于高功率开关
• 典型栅极电荷为39nC，确保可控的开关能量
• 通孔 PG-TO-247-4 封装简化了原型组装

应用

• 适用于高压电源和转换器
• 适用于需要大电流容量的电机驱动器
• 适用于工业变频器和开关模式任务
• 可用于重型设备的电池充电系统
• 用于实验室电力电子测试与开发

该器件在工作期间能承受的环境极限值是多少？

其指定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在温度变化剧烈的环境中使用。

它在 PCB 上需要采取哪种封装和安装方式？

该器件采用 PG-TO-247-4 通孔封装，用于螺栓或焊接安装，并需配合适当的散热措施。

栅极驱动要求对开关设计有何影响？

在额定 Vgs 下，典型栅极电荷为 39nC；因此，设计人员在确定栅极驱动器和栅极电阻的规格时，应在兼顾驱动电流的同时，平衡开关速度与 EMI 性能。

为防止设备损坏，必须遵守哪些电气限制？

最大栅源电压为25V，漏源电压为1200V

在运行期间，不得超过这些绝对值。