Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=49 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列

RS 库存编号:: 351-927
制造商零件编号:: IMZC120R026M2HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=49 A, 4针, PG-TO-247-4-U07, IMZC120系列

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制造商零件编号:: IMZC120R026M2HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	49A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	PG-TO-247-4-U07
	系列	IMZC120
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	69mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	60nC
	最大功耗 Pd	289W
	正向电压 Vf	5.5V
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最高工作温度	200°C
	长度	23.5mm
	标准/认证	JEDEC47/20/22
	宽度	16mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 49A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 PG-TO-247-4-U07
	系列 IMZC120
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 69mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC
	最大功耗 Pd 289W
	正向电压 Vf 5.5V
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最高工作温度 200°C
	长度 23.5mm
	标准/认证 JEDEC47/20/22
	宽度 16mm
	汽车标准否

Datasheet - IMZC120R026M2HXKSA1

Infineon IMZC120系列MOSFET，1200V漏源电压，49A最大连续漏极电流 - IMZC120R026M2HXKSA1

该MOSFET是一款高压N沟道开关器件，专为工业电子中严苛的电源转换应用而设计。它可在适合恶劣环境的宽温度范围内工作，并采用通孔安装封装，为需要高阻断电压和强大持续电流能力的应用提供稳健的选择。

特性和优点：

• 1200V漏源极额定电压，具备高压开关能力
• 49A 连续漏极电流，可实现大负载处理
• 69mΩ 导通电阻，可在工作电流下降低导通损耗
• 最大功耗为289W，耐受高热应力
• 典型栅极电荷为60nC，可实现可预测的开关控制
• 25V栅源电压限值，支持常用栅极驱动电压

应用

• 适用于工业变频器和电机驱动设计
• 适用于高压电源和转换器
• 用于牵引及可再生能源领域的电力电子设备
• 可用于硬开关拓扑和斩波拓扑
• 用于配合通孔散热布局进行热管理

它采用哪种封装类型？这对安装有什么影响？

它采用TO-247-4通孔封装，便于通过螺栓将电子散热器牢固固定，并可直接安装在PCB上，从而实现可靠的机械与散热连接。

其温度范围对于在系统中的布局有何影响？

其工作温度范围为-55°C至200°C，可布置在发热元件附近，或用于温度大幅波动的环境，而无需在系统层面立即降额使用。

开关性能需要考虑哪些栅极驱动因素？

驱动电路必须遵守25V的栅源电压限制，并提供足够的驱动强度来处理60nC的栅极电荷，以实现受控的转换时间和开关损耗。

设计人员在热设计中应如何考虑功耗？

热管理必须考虑289W的散热上限

需要采用适当的散热措施、热界面材料及电路板布局，以将结温保持在安全工作限值内。