制造商编号

STMicroelectronics N沟道功率MOSFET, Vds=1500 V, Id=2.6 A, 3针, H2PAK-2, STH4N150系列

RS 库存编号:: 877-308
制造商零件编号:: STH4N150-2AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道功率MOSFET, Vds=1500 V, Id=2.6 A, 3针, H2PAK-2, STH4N150系列

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RS 库存编号:: 877-308
制造商零件编号:: STH4N150-2AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	2.6A
	最大漏源电压 Vd	1500V
	系列	STH4N150
	包装类型	H2PAK-2
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	10Ω
	通道模式	MOSFET
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	208W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	35.1nC
	晶体管配置	N 沟道 MOSFET
	最高工作温度	150°C
	宽度	4.7mm
	长度	10.4mm
	高度	15.8mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 2.6A
	最大漏源电压 Vd 1500V
	系列 STH4N150
	包装类型 H2PAK-2
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 10Ω
	通道模式 MOSFET
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 208W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35.1nC
	晶体管配置 N 沟道 MOSFET
	最高工作温度 150°C
	宽度 4.7mm
	长度 10.4mm
	高度 15.8mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - STH4N150-2AG

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics N沟道功率MOSFET采用PowerMESH技术开发技术。该器件专为汽车市场设计，旨在提供高电压等级和耐用性。

栅极电荷非常低

100% 雪崩测试

STMicroelectronics N沟道功率MOSFET, Vds=1500 V, Id=2.6 A, 3针, H2PAK-2, STH4N150系列

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