Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装, SIHB24N65E-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7413
- 制造商零件编号:
- SIHB24N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 256-7413
- 制造商零件编号:
- SIHB24N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.033Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.033Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor E 系列功率 MOSFET 具有低功率 (FOM) Ron x Qg 和低输入电容 (Ciss)。
减少切换和导电损耗
超低门充电 (Qg)
雪崩能量等级 (UIS)