Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4772
制造商零件编号:: IRF4905PBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 919-4772
制造商零件编号:: IRF4905PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	74A
	最大漏源电压 Vd	55V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	20mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	-1.6V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	180nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	高度	8.77mm
	宽度	4.69 mm
	长度	10.54mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 74A
	最大漏源电压 Vd 55V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 20mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf -1.6V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	高度 8.77mm
	宽度 4.69 mm
	长度 10.54mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，74A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF4905PBF

这款 MOSFET 为各种工业应用的电源管理提供了多功能解决方案。它的设计高效可靠，是电子和电气领域专业人员的必备之选。该产品具有强大的性能特点，可增强电路设计，确保在具有挑战性的环境中实现最佳运行。

特点和优势

• 74A 的高连续漏极电流能力可支持要求苛刻的应用

• 55V 的最大漏极-源极电压可实现有效的电源管理

• 20mΩ 的低导通电阻提高了能效

• 设计为增强型 MOSFET，可实现精确控制

• 采用 TO-220AB 封装，便于安装和集成

应用

• 用于直流-直流转换器，实现高效功率转换

• 电机控制的理想选择需要大量当前管理

• 应用于电源，简化操作

• 适用于高负荷环境下的热管理

• 用于自动化系统中的可靠开关

低导通电阻对电路设计有何益处？

导通电阻的降低最大限度地减少了运行过程中的功率损耗，提高了整体能效和性能，这在大电流应用中至关重要。

使用 TO-220AB 封装有何意义？

TO-220AB 封装既能有效散热，又便于安装，是工业应用的首选。

该组件能否应对高温环境？

是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，适合严格的应用环境。

什么样的应用需要这种 MOSFET 的高连续漏极电流？

高持续漏极电流适合电机驱动器、功率转换器和其他需要强大功率处理能力的系统。

栅极阈值电压对性能有何影响？

2V 至 4V 的栅极阈值电压确保了可靠的开关性能，有助于在各种电子电路中实现精确控制。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列