54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 192-4825
- 制造商零件编号 STL10N60M6
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 5.5A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个(每托盘 5 )
RMB16.082(不含税)
- RS 库存编号 739-0549
- 制造商零件编号 DF04S
- 品牌 onsemi
- 峰值平均正向电流 1.5A
- 电桥类型 单相
- 峰值反向重复电压 400V
- 安装类型 贴片
个(每托盘 5 )
RMB5.27(不含税)
- RS 库存编号 250-7896P
- 制造商零件编号 PTVS2-076C-H
- 品牌 Bourns
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 91V
- 最小击穿电压 85V
- 安装类型 贴片
个 (以每卷装提供)
RMB57.58(不含税)
- RS 库存编号 258-7012
- 制造商零件编号 BSC110N06NS3GATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 53A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 5000 )
RMB2.60(不含税)
- RS 库存编号 182-7069
- 制造商零件编号 DMP2040UVT-7
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 5.5A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个(每托盘 50 )
RMB2.324(不含税)
- RS 库存编号 268-8344
- 制造商零件编号 SIS9634LDN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 双N
- 最大连续漏极电流 Id 6A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB4.022(不含税)
- RS 库存编号 145-1658
- 制造商零件编号 SIHF5N50D-E3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 功率 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 5.3A
- 最大漏源电压 Vd 500V
每管:50 个
RMB8.859(不含税)
- RS 库存编号 134-9709
- 制造商零件编号 SIHP065N60E-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 40A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个
RMB36.86(不含税)
- RS 库存编号 133-9834
- 制造商零件编号 BSC009NE2LS5ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 100A
- 最大漏源电压 Vd 25V
个(每托盘 5 )
RMB13.90(不含税)
- RS 库存编号 268-8320
- 制造商零件编号 SIHP150N60E-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 22A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个(每托盘 2 )
RMB27.32(不含税)
- RS 库存编号 268-8308
- 制造商零件编号 SIHK105N60EF-T1GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 24A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个(每带 2000 )
RMB27.298(不含税)
- RS 库存编号 236-3659
- 制造商零件编号 IPB65R155CFD7ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 15A
- 最大漏源电压 Vd 700V
个(每带 1000 )
RMB12.048(不含税)
- RS 库存编号 792-5335P
- 制造商零件编号 1SMA5917BT3G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 4.7V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB1.73(不含税)
- RS 库存编号 268-8280
- 制造商零件编号 SI4534DY-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型, P型
- 最大连续漏极电流 Id 8A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个(每带 3000 )
RMB4.506(不含税)
- RS 库存编号 599-150
- 制造商零件编号 LND150N3-G-P003
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 9V
个(每带 2000 )
RMB4.866(不含税)
- RS 库存编号 264-8914
- 制造商零件编号 TN2124K1-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 140mA
- 最大漏源电压 Vd 240V
个(每带 3000 )
RMB4.159(不含税)
- RS 库存编号 243-4591
- 制造商零件编号 BZX8850S-C68YL
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 68V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个(每带 10000 )
RMB0.395(不含税)
- RS 库存编号 598-554
- 制造商零件编号 TN0104N3-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 450mA
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以毎袋:1000)
RMB6.083(不含税)
- RS 库存编号 598-308
- 制造商零件编号 VN2450N8-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 90V
个(每带 2000 )
RMB7.57(不含税)
- RS 库存编号 691-0786P
- 制造商零件编号 SLVU2.8.TCT
- 品牌 Semtech
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 15V
个 (以每卷装提供)
RMB14.516(不含税)



















