54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 265-303P
- 制造商零件编号 PBZTBR113B
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 14.15V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB3.514(不含税)
- RS 库存编号 258-3794P
- 制造商零件编号 IPB060N15N5ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 136A
- 最大漏源电压 Vd 150V
个 (以每卷装提供)
RMB33.25(不含税)
- RS 库存编号 165-6352
- 制造商零件编号 VS-VSKT105/16
- 品牌 Vishay
- 额定平均通态电流 105A
- 可控硅类型 SCR，SCR模块
- 封装类型 TO-240AA
- 重复峰值反向电压 1600V
个 (以毎盒：10)
RMB310.823(不含税)
- RS 库存编号 258-3786P
- 制造商零件编号 IPB020N10N5LFATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 120A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个 (以每卷装提供)
RMB41.58(不含税)
- RS 库存编号 814-2739
- 制造商零件编号 BYQ28E-200-E3/45
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 TO-220
- 最大连续正向电流 If 10A
个（每托盘 10 ）
RMB6.21(不含税)
- RS 库存编号 792-0844
- 制造商零件编号 BCM847BS,115
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 45 V
- 封装类型 SOT-363 (SC-88)
个（每带 20 ）
RMB1.899(不含税)
- RS 库存编号 862-4979
- 制造商零件编号 MJ21193G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -16 A
- 最大集电极-发射极电压 -250 V
- 封装类型 TO-204AA
个（每托盘 2 ）
RMB54.04(不含税)
- RS 库存编号 232-6780P
- 制造商零件编号 T1900N16TOFVTXPSA1
- 品牌 Infineon
- 额定平均通态电流 1810A
- 可控硅类型 PCT
- 封装类型 TO-200AC
- 重复峰值反向电压 1600V
个 (以每托盘提供)
RMB3,196.96(不含税)
- RS 库存编号 829-3806
- 制造商零件编号 BTA06-600BWRG
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 6A
- 安装类型 通孔
- 封装类型 TO-220AB
- 最大栅极触发电流 50mA
个（每托盘 10 ）
RMB4.123(不含税)
- RS 库存编号 232-6774P
- 制造商零件编号 ISZ0703NLSATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 56A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个 (以每卷装提供)
RMB10.716(不含税)
- RS 库存编号 287-7047P
- 制造商零件编号 STP80N1K1K6
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 5A
- 最大漏源电压 Vd 800V
个 (以每管装提供)
RMB16.83(不含税)
- RS 库存编号 796-9537
- 制造商零件编号 6A100G
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 产品类型 二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 R-6
- 最大连续正向电流 If 6A
个（每托盘 25 ）
RMB4.042(不含税)
- RS 库存编号 258-3970P
- 制造商零件编号 IRFH5053TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 46A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个 (以每卷装提供)
RMB18.195(不含税)
- RS 库存编号 165-2366
- 制造商零件编号 VS-70HF80
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 螺钉接线端子
- 包装类型 DO-203AB
- 最大连续正向电流 If 70A
个 (以毎袋：100)
RMB52.858(不含税)
- RS 库存编号 195-8771
- 制造商零件编号 NXH100B120H3Q0STG
- 品牌 onsemi
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 186 W
- 封装类型 Q0BOOST
个
RMB435.11(不含税)
- RS 库存编号 267-2431P
- 制造商零件编号 RV2E014AJT2CL
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 1.4A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB1.063(不含税)
- RS 库存编号 751-3792
- 制造商零件编号 BZT52C5V6S-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 5.6V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个
RMB0.30(不含税)
- RS 库存编号 267-2412P
- 制造商零件编号 RBQ5RSM10BTL1
- 品牌 ROHM
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-277GE
- 最大连续正向电流 If 5A
个 (以每卷装提供)
RMB6.289(不含税)
- RS 库存编号 261-4728
- 制造商零件编号 Z0409MH
- 品牌 STMicroelectronics
- 安装类型 通孔
- 封装类型 IPAK
- 最大栅极触发电流 10mA
- 重复峰值反向电压 600V
每管：75 个
RMB1.787(不含税)
- RS 库存编号 267-2409P
- 制造商零件编号 RBQ3RSM65BTL1
- 品牌 ROHM
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-277GE
- 最大连续正向电流 If 3A
个 (以每卷装提供)
RMB5.389(不含税)