54217 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 646-616
- 制造商零件编号 AG502ELD3HRBTL
- 品牌 ROHM
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 48A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个
RMB7.742(不含税)
- RS 库存编号 646-556
- 制造商零件编号 RQ5G060BGTCL
- 品牌 ROHM
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大漏源电压 Vd 40V
- 包装类型 TSMT-3
个
RMB2.266(不含税)
- RS 库存编号 599-040
- 制造商零件编号 MIC94050YM4-TR
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 9V
个（每带 3000 ）
RMB4.461(不含税)
- RS 库存编号 598-908
- 制造商零件编号 VN1206L-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 90V
个 (以毎袋：1000)
RMB10.949(不含税)
- RS 库存编号 919-5025
- 制造商零件编号 IRF630NPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 9.3A
- 最大漏源电压 Vd 200V
每管：50 个
RMB3.639(不含税)
- RS 库存编号 598-727
- 制造商零件编号 DN2625K4-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大漏源电压 Vd 250V
- 包装类型 TO-252
个（每带 2000 ）
RMB10.218(不含税)
- RS 库存编号 598-673
- 制造商零件编号 TN0104N8-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 450mA
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每带 2000 ）
RMB6.238(不含税)
- RS 库存编号 246-3895P
- 制造商零件编号 RB068VWM100TR
- 品牌 ROHM
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 通孔, 表面
- 包装类型 PMDE
- 最大连续正向电流 If 2A
个 (以每卷装提供)
RMB2.699(不含税)
- RS 库存编号 598-655
- 制造商零件编号 VN2210N2
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 90V
个 (以毎袋：500)
RMB145.317(不含税)
- RS 库存编号 598-595
- 制造商零件编号 VP3203N8-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 90V
个（每带 2000 ）
RMB10.274(不含税)
- RS 库存编号 544-9999P
- 制造商零件编号 2N6507G
- 品牌 Littelfuse
- 额定平均通态电流 16A
- 可控硅类型 SCR
- 封装类型 TO-220AB
- 重复峰值反向电压 400V
个 (以每带装提供)
RMB16.65(不含税)
- RS 库存编号 598-539
- 制造商零件编号 VN0550N3-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 90V
个 (以毎袋：1000)
RMB9.598(不含税)
- RS 库存编号 813-0828P
- 制造商零件编号 MBRB10100-E3/8W
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-263
- 最大连续正向电流 If 10A
个 (以每卷装提供)
RMB7.822(不含税)
Microchip N 沟道 DMOS FET沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=500 V, 350 mA, TO-252 (D-PAK-3), 表面安装, 3引脚, DN2450N8-G
- RS 库存编号 598-247
- 制造商零件编号 DN2450N8-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 500V
个（每带 2000 ）
RMB6.624(不含税)
- RS 库存编号 598-241
- 制造商零件编号 TN5325N3-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 450mA
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以毎袋：1000)
RMB3.65(不含税)
- RS 库存编号 559-214
- 制造商零件编号 IGC033S10S1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 76A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个
RMB21.64(不含税)
- RS 库存编号 761-0323P
- 制造商零件编号 STW34NM60N
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 29A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个 (以每管装提供)
RMB59.85(不含税)
- RS 库存编号 559-213
- 制造商零件编号 IGC033S101
- 品牌 Infineon
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 76A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个
RMB21.64(不含税)
- RS 库存编号 802-1730P
- 制造商零件编号 NUP4114UCW1T2G
- 品牌 onsemi
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 复杂阵列
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 9V
个 (以每卷装提供)
RMB1.206(不含税)
- RS 库存编号 254-7656
- 制造商零件编号 NFAQ0560R46T
- 品牌 onsemi
- 最大集电极-发射极电压 2.6 V
- 最大栅极发射极电压 600V
- 封装类型 NFAQ
每管：400 个
RMB60.094(不含税)