54209 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 185-8671
- 制造商零件编号 AFGHL40T65SPD
- 品牌 onsemi
- 最大连续集电极电流 80 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 1
个（每托盘 2 ）
RMB32.78(不含税)
- RS 库存编号 171-9518
- 制造商零件编号 SLD33-018
- 品牌 Littelfuse
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 53.3V
个（每带 800 ）
RMB10.962(不含税)
- RS 库存编号 781-5581P
- 制造商零件编号 1N5400RLG
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
- 封装类型 DO-41
个 (以每卷装提供)
RMB0.78(不含税)
- RS 库存编号 634-7181P
- 制造商零件编号 SML4744-E3/61
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 15V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB2.576(不含税)
- RS 库存编号 218-4331
- 制造商零件编号 FF1800R12IE5PBPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 1.8 kA
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 20V
- 晶体管数 2
个
RMB8,301.56(不含税)
- RS 库存编号 186-8103
- 制造商零件编号 TIP31BG
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 5 A
- 最大集电极-发射极电压 80 V 直流
- 封装类型 TO-220
个（每托盘 25 ）
RMB3.292(不含税)
- RS 库存编号 244-5835
- 制造商零件编号 FP50R12KE3BOSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 75 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 7
个
RMB827.27(不含税)
- RS 库存编号 166-3250
- 制造商零件编号 P6KE75CA
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 103V
- 最小击穿电压 71.3V
个（每带 4000 ）
RMB0.923(不含税)
- RS 库存编号 805-0959
- 制造商零件编号 1N456ATR
- 品牌 onsemi
- 产品类型 二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 DO-35
- 最大连续正向电流 If 500mA
个（每托盘 200 ）
RMB0.498(不含税)
- RS 库存编号 166-2448
- 制造商零件编号 FDS8984
- 品牌 onsemi
- 产品类型 功率 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 7A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每带 2500 ）
RMB2.13(不含税)
- RS 库存编号 121-9435
- 制造商零件编号 BSS138W-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 200mA
- 最大漏源电压 Vd 50V
个（每带 3000 ）
RMB0.268(不含税)
- RS 库存编号 166-2740
- 制造商零件编号 FDC6303N
- 品牌 onsemi
- 产品类型 功率 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 680mA
- 最大漏源电压 Vd 25V
个（每带 3000 ）
RMB3.437(不含税)
- RS 库存编号 165-5868
- 制造商零件编号 BSS806NH6327XTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 2.3A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个（每带 3000 ）
RMB0.49(不含税)
- RS 库存编号 260-6175
- 制造商零件编号 RSDT30RSMTFTL1
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 38.5V
- 最小击穿电压 27V
个（每带 4000 ）
RMB5.254(不含税)
- RS 库存编号 184-1174
- 制造商零件编号 MMBT5179
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 50 mA
- 最大集电极-发射极电压 12 V
- 封装类型 SOT-23
个（每托盘 100 ）
RMB0.286(不含税)
Microchip N 沟道 DMOS FET沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=500 V, 350 mA, TO-252 (D-PAK-3), 表面安装, 3引脚, DN3545N8-G
- RS 库存编号 598-869
- 制造商零件编号 DN3545N8-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 500V
个（每带 2000 ）
RMB7.30(不含税)
- RS 库存编号 174-2503
- 制造商零件编号 CDSOD323-T36SC
- 品牌 Bourns
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 60V
个（每托盘 20 ）
RMB3.993(不含税)
- RS 库存编号 146-4088P
- 制造商零件编号 FDMC86184
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 57A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个 (以每卷装提供)
RMB12.624(不含税)
- RS 库存编号 202-5547P
- 制造商零件编号 STW70N65DM6
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 68A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个 (以每管装提供)
RMB100.79(不含税)
- RS 库存编号 169-7398
- 制造商零件编号 MMBT3906T-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -200 mA
- 最大集电极-发射极电压 -40 V
- 封装类型 SOT-523 (SC-89)
个（每带 3000 ）
RMB0.332(不含税)