54281 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 257-9406
- 制造商零件编号 IRFR3607TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 80A
- 最大漏源电压 Vd 75V
个（每托盘 5 ）
RMB9.746(不含税)
- RS 库存编号 145-1963
- 制造商零件编号 BZT55C3V3-GS08
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.3V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 2500 ）
RMB0.266(不含税)
- RS 库存编号 122-3317
- 制造商零件编号 DMN4010LK3-13
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 39A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每带 2500 ）
RMB3.62(不含税)
- RS 库存编号 780-5357P
- 制造商零件编号 BAS16J,115
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 最大正向电流 250mA
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.185(不含税)
- RS 库存编号 215-6675P
- 制造商零件编号 IKW75N65EH5XKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 90 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V
- 最大功率耗散 395 W
个 (以每管装提供)
RMB42.58(不含税)
- RS 库存编号 184-1077
- 制造商零件编号 PZT751T1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -2 A
- 最大集电极-发射极电压 -60 V
- 封装类型 SOT-223 (SC-73)
个（每带 1000 ）
RMB0.952(不含税)
- RS 库存编号 273-3016
- 制造商零件编号 IPN60R1K5PFD7SATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 3.6A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每托盘 10 ）
RMB3.455(不含税)
- RS 库存编号 838-7055
- 制造商零件编号 FP35R12KT4B11BOSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 35 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 210 W
个
RMB745.58(不含税)
- RS 库存编号 165-5377
- 制造商零件编号 STD13N65M2
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每带 2500 ）
RMB8.271(不含税)
- RS 库存编号 215-9887
- 制造商零件编号 RBR3MM60ATFTR
- 品牌 ROHM
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOD-123FL
- 最大连续正向电流 If 3A
个（每带 3000 ）
RMB1.069(不含税)
- RS 库存编号 214-8986
- 制造商零件编号 BSZ025N04LSATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 126A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每托盘 15 ）
RMB8.45(不含税)
- RS 库存编号 244-5207P
- 制造商零件编号 5.0SMDJ36CA
- 品牌 Bourns
- 二极管配置 串行
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 44.2V
- 最小击穿电压 58.1V
个 (以每卷装提供)
RMB11.516(不含税)
- RS 库存编号 351-968
- 制造商零件编号 IGT65R045D2ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 38A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个
RMB75.98(不含税)
- RS 库存编号 274-992P
- 制造商零件编号 ZVN2106GTA
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 710mA
- 最大漏源电压 Vd 60V
个 (以每卷装提供)
RMB7.068(不含税)
- RS 库存编号 124-1696
- 制造商零件编号 FDC5614P
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 3A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每带 3000 ）
RMB1.65(不含税)
- RS 库存编号 811-5949P
- 制造商零件编号 1N5226B-TR
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.3V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.226(不含税)
- RS 库存编号 231-4023
- 制造商零件编号 1.5SMBJ36CA
- 品牌 Bourns
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 58.1V
- 最小击穿电压 40V
- 安装类型 贴片
个（每带 3000 ）
RMB2.998(不含税)
- RS 库存编号 903-4254P
- 制造商零件编号 GBU8J
- 品牌 onsemi
- 峰值平均正向电流 8A
- 电桥类型 单相
- 峰值反向重复电压 600V
- 安装类型 通孔
个 (以每管装提供)
RMB17.536(不含税)
- RS 库存编号 180-8557
- 制造商零件编号 1N4751A-TR
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 30V
- 安装类型 通孔
- 最大功率耗散 1.3 W
个（每托盘 100 ）
RMB0.403(不含税)
- RS 库存编号 187-1540
- 制造商零件编号 SM8S33CA-Q
- 品牌 Bourns
- 特性 ESD保护
- 方向类型 双向
- 最小击穿电压 36.7V
- 安装类型 贴片
个（每托盘 5 ）
RMB18.266(不含税)