54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 215-234
- 制造商零件编号 SCT040W120G3AG
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 40A
- 最大漏源电压 Vd 1200V
每管:30 个
RMB135.582(不含税)
- RS 库存编号 163-2299
- 制造商零件编号 NTD6415ANLT4G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 23A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个(每带 2500 )
RMB7.463(不含税)
- RS 库存编号 151-941
- 制造商零件编号 STP6NK60Z
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 6A
- 最大漏源电压 Vd 600V
每管:50 个
RMB7.539(不含税)
- RS 库存编号 151-922
- 制造商零件编号 STW8N120K5
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 6A
- 最大漏源电压 Vd 1200V
每管:30 个
RMB43.223(不含税)
- RS 库存编号 151-449
- 制造商零件编号 STW12N150K5
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 7A
- 最大漏源电压 Vd 1500V
每管:30 个
RMB50.603(不含税)
- RS 库存编号 165-8550
- 制造商零件编号 FCX596TA
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -300 mA
- 最大集电极-发射极电压 -200 V
- 封装类型 SOT-89
个(每带 1000 )
RMB1.71(不含税)
- RS 库存编号 151-415
- 制造商零件编号 STP6NK60ZFP
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 6A
- 最大漏源电压 Vd 600V
每管:50 个
RMB8.617(不含税)
- RS 库存编号 812-2284
- 制造商零件编号 GBPC2506W-E4/51
- 品牌 Vishay
- 峰值平均正向电流 25A
- 电桥类型 单相
- 峰值反向重复电压 600V
- 安装类型 通孔
个(每托盘 2 )
RMB24.95(不含税)
- RS 库存编号 485-7787
- 制造商零件编号 STP5NK80ZFP
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 4.3A
- 最大漏源电压 Vd 800V
个(每托盘 5 )
RMB10.504(不含税)
- RS 库存编号 273-7366
- 制造商零件编号 F3L150R12W2H3B11BPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 75 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 +/-20V
- 最大功率耗散 500 瓦
个(每套 15)
RMB471.096(不含税)
- RS 库存编号 273-5233
- 制造商零件编号 BSC018NE2LSATMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 153 A
- 最大集电极-发射极电压 25 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 2.5 W
个(每带 5000 )
RMB3.773(不含税)
- RS 库存编号 273-3075
- 制造商零件编号 TDB6HK124N16RRBPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 70 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 6
个(每套 15)
RMB617.654(不含税)
- RS 库存编号 273-2931
- 制造商零件编号 FS50R12W1T7B11BOMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 50 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 6
个(每套 24)
RMB267.265(不含税)
- RS 库存编号 243-7067P
- 制造商零件编号 V10PWM45HM3/I
- 品牌 Vishay
- 产品类型 肖特基势垒
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-252
- 最大连续正向电流 If 10A
个 (以每卷装提供)
RMB5.255(不含税)
- RS 库存编号 262-5835
- 制造商零件编号 DDB6U50N22W1RPB11BPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 40 A
- 最大集电极-发射极电压 1700 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 1
个
RMB276.20(不含税)
- RS 库存编号 260-1178
- 制造商零件编号 F3L600R10W4S7FC22BPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 310 A
- 最大集电极-发射极电压 950 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 20 mW
个
RMB2,181.89(不含税)
- RS 库存编号 259-2727
- 制造商零件编号 FF2400RB12IP7PBPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 2.4 kA
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 20 mW
个
RMB9,164.21(不含税)
- RS 库存编号 761-2751
- 制造商零件编号 STF13NM60N
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 11A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个
RMB13.49(不含税)
- RS 库存编号 258-0904
- 制造商零件编号 FS75R12KT4B15BPSA1
- 品牌 Infineon
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20.0V
- 封装类型 AG-ECONO2B-411
个
RMB589.42(不含税)
- RS 库存编号 258-0890
- 制造商零件编号 FS35R12W1T7B11BOMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 35 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20.0V
- 最大功率耗散 20 mW
个
RMB235.05(不含税)



















