54198 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 267-2331
- 制造商零件编号 DTA113ZE3HZGTL
- 品牌 ROHM
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 -50 V
- 封装类型 EMT3
个（每托盘 25 ）
RMB1.294(不含税)
- RS 库存编号 178-7158
- 制造商零件编号 PDTC143ZT,215
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 SOT-23 (TO-236AB)
个（每带 3000 ）
RMB0.138(不含税)
- RS 库存编号 348-982
- 制造商零件编号 FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 包装类型 EasyPACK 2B
- 系列 FS3L40R07W2H5F_B70
个
RMB1,349.84(不含税)
- RS 库存编号 894-9256P
- 制造商零件编号 VS-1EFH02-M3/I
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 DO-219AB
- 最大连续正向电流 If 1A
个 (以每卷装提供)
RMB1.343(不含税)
- RS 库存编号 178-0840
- 制造商零件编号 IRFBC30PBF
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 3.6A
- 最大漏源电压 Vd 600V
每管：50 个
RMB13.002(不含税)
- RS 库存编号 222-2885
- 制造商零件编号 DMTH10H009LFG-7
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 14A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每托盘 10 ）
RMB8.314(不含税)
- RS 库存编号 264-940P
- 制造商零件编号 RF9L120BKFRATCR
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 12A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个 (以每卷装提供)
RMB4.436(不含税)
- RS 库存编号 222-4731
- 制造商零件编号 IPZA60R037P7XKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 76A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个
RMB68.54(不含税)
- RS 库存编号 348-979
- 制造商零件编号 FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 62.5A
- 最大漏源电压 Vd 1200V
个
RMB3,118.50(不含税)
- RS 库存编号 216-9632
- 制造商零件编号 TLD8S40AH
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 64.5V
- 最小击穿电压 44.4V
- 安装类型 贴片
个（每托盘 2 ）
RMB19.91(不含税)
- RS 库存编号 780-5350
- 制造商零件编号 BAT46WJ,115
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOD-323
- 最大连续正向电流 If 250mA
个（每托盘 25 ）
RMB0.752(不含税)
- RS 库存编号 348-974
- 制造商零件编号 FB50R07W2E3C36BPSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 系列 FB50R07W2E3_B23
- 安装类型 螺钉接线端子
个
RMB672.44(不含税)
- RS 库存编号 165-7783
- 制造商零件编号 T1235H-6G-TR
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 12A
- 安装类型 贴片
- 封装类型 D2PAK (TO-263)
- 最大栅极触发电流 35mA
个（每带 1000 ）
RMB7.048(不含税)
- RS 库存编号 214-8896
- 制造商零件编号 NTHL082N65S3HF
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 40A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每托盘 5 ）
RMB49.40(不含税)
- RS 库存编号 245-6984P
- 制造商零件编号 NXH40B120MNQ1SNG
- 品牌 onsemi
- 晶体管数 3
- 最大功率耗散 156 W
- 封装类型 Q1 3 通道升压 - 箱 180BQ 焊接引脚 (无铅)
个 (以每托盘提供)
RMB814.16(不含税)
- RS 库存编号 786-4558
- 制造商零件编号 SD05T1G
- 品牌 onsemi
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 14.5V
个（每托盘 50 ）
RMB1.37(不含税)
- RS 库存编号 233-3489P
- 制造商零件编号 AIMW120R060M1HXKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 36A
- 最大漏源电压 Vd 1200V
个 (以每管装提供)
RMB189.06(不含税)
- RS 库存编号 145-2710
- 制造商零件编号 SMBG5.0A-E3/52
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 9.2V
- 最小击穿电压 6.4V
个（每带 750 ）
RMB3.269(不含税)
- RS 库存编号 185-9107
- 制造商零件编号 NSVJ6904DSB6T1G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 50mA
- 最大漏源电压 Vd 25V
个（每托盘 10 ）
RMB4.665(不含税)
- RS 库存编号 200-6796
- 制造商零件编号 Si4425FDY-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 18.3A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每带 3000 ）
RMB2.356(不含税)