54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 540-9581
- 制造商零件编号 IRFR110PBF
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 4.3A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个
RMB4.43(不含税)
- RS 库存编号 215-9941
- 制造商零件编号 SCT3080AW7TL
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 29A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每带 1000 ）
RMB75.742(不含税)
- RS 库存编号 261-9559P
- 制造商零件编号 NXH020U90MNF2PTG
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 149A
- 最大漏源电压 Vd 900V
个 (以每托盘提供)
RMB1,455.35(不含税)
- RS 库存编号 277-414
- 制造商零件编号 6DFN24CA-M3/I
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 33.2V
- 最小击穿电压 22.8V
个
RMB1.113(不含税)
- RS 库存编号 239-8673
- 制造商零件编号 SQJA26EP-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 410A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每托盘 5 ）
RMB10.512(不含税)
- RS 库存编号 239-8613
- 制造商零件编号 SIDR104AEP-T1-RE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 90.5A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每托盘 2 ）
RMB18.22(不含税)
- RS 库存编号 280-0003
- 制造商零件编号 SISS5808DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 66.6A
- 最大漏源电压 Vd 80V
个（每托盘 4 ）
RMB11.21(不含税)
- RS 库存编号 280-0001
- 制造商零件编号 SISS5623DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 36.3A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每托盘 4 ）
RMB16.355(不含税)
- RS 库存编号 228-2972
- 制造商零件编号 SQSA70CENW-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 18A
- 最大漏源电压 Vd 150V
个（每托盘 10 ）
RMB5.559(不含税)
- RS 库存编号 228-2950
- 制造商零件编号 SQJ126EP-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 500A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每托盘 5 ）
RMB10.214(不含税)
- RS 库存编号 194-338
- 制造商零件编号 MCD95-16IO1B
- 品牌 IXYS
- 额定平均通态电流 116A
- 可控硅类型 SCR模块
- 封装类型 TO-240AA
- 重复峰值反向电压 1600V
个
RMB151.70(不含税)
- RS 库存编号 279-9993
- 制造商零件编号 SISS5110DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 55.9A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每带 3000 ）
RMB5.293(不含税)
- RS 库存编号 279-9991
- 制造商零件编号 SISS5108DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 55.9A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每带 3000 ）
RMB6.415(不含税)
- RS 库存编号 279-9981
- 制造商零件编号 SISH103DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 54A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每托盘 10 ）
RMB5.629(不含税)
- RS 库存编号 225-0557
- 制造商零件编号 BSS123IXTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 190mA
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每托盘 100 ）
RMB0.396(不含税)
- RS 库存编号 222-4912
- 制造商零件编号 IPL60R075CFD7AUMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 33A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个（每托盘 2 ）
RMB28.005(不含税)
- RS 库存编号 279-9968
- 制造商零件编号 SIRS4600DP-T1-RE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 334A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每带 3000 ）
RMB15.485(不含税)
- RS 库存编号 279-9933
- 制造商零件编号 SIJ4108DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 56.7A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每带 3000 ）
RMB6.143(不含税)
Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 16 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN60R600P7SATMA1, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号 220-7437
- 制造商零件编号 IPN60R600P7SATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET & 二极管
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 16A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每托盘 20 ）
RMB4.581(不含税)
- RS 库存编号 279-9928
- 制造商零件编号 SIHR080N60E-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 51A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个（每带 3000 ）
RMB31.026(不含税)