onsemi 1200 V 100 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道, 1MHz

  • RS 库存编号 145-3284
  • 制造商零件编号 NGTB25N120FL3WG
  • 制造商 onsemi
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

产品技术参数
属性 数值
最大连续集电极电流 100 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 349 W
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
开关速度 1MHz
晶体管配置
尺寸 16.25 x 5.3 x 21.4mm
当前暂无库存,可于2025-04-16发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 毎管:30 个
RMB 29.436
(不含税)
RMB 33.263
(含税)
单位
每单位
Per Tube*
30 - 30
RMB29.436
RMB883.08
60 - 90
RMB28.847
RMB865.41
120 +
RMB28.27
RMB848.10
* 参考价格