将 CMOS SRAM 转换为非易失性存储器
当 VCC 超出容差时,无条件写保护 SRAM
当 VCC 电源发生故障时、自动切换到备用电池
监控锂电池的电压、并提供即将发生电池故障的 Advanced warning
信号电池低电量状态的活动电池低电量警告输出信号
可选 5% 或 10% 电源故障检测
节省空间的 8 引脚 DIP 和 SOIC 封装
可选的 16 针 SOIC 和 20 针 TSSOP 版本在发生电源故障时重置处理器、并在系统开机时将处理器保持在重置状态
工业温度范围: -40°C 至 +85°C
属性 | 数值 |
---|---|
最大备份电池电压 | 6V |
写入保护控制 | 是 |
最长传播延迟时间 | 10ns |
安装类型 | 贴片 |
封装类型 | SO |
引脚数目 | 8 |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
长度 | 5mm |
宽度 | 4mm |
高度 | 1.5mm |
最大工作电源电压 | 5.5 V |
最高工作温度 | +85°C |
最小工作电源电压 | 4.5 V |